طراحی و ساخت دیود شاتکی با نیمه هادی gaas توسط دستگاه mbe
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران
- author محمود سام کن
- adviser احمد محدث کسایی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1379
abstract
در این پایان نامه گزارشی از ساخت و تست یک دیود شاتکی تولید شده با نیمه هادی gaas توسط دستگاه رونشستی پرتر ملکولی (mbe) ارائه می گردد.جهت ساخت این دیود، بعد از رشد اپیتاکسی gaas روی زیر لایه تک بلور با جهت (100) فلز آلومینیوم را در خلا بسیار بالا روی لایه مذکور نشانده، تا پیوند شاتکی تشکیل گردد. برای انجام تست ابتدا پروفایل ناخالصی، قابلیت تحرک ومقاومت مخصوص لایه n رشد داده شده را بدست آودره و پس از نشاندن لایه آلومینیوم مشخصه c/v, i/v دیود را ترسیم و با برازش منحنی های بدست آمده با روابط تئوری ضریب نزدیکی به آیده آل، جریان نشتی، خازن پیوند و مقاومت سری دیود را یافته و فرکانس قطع را محاسبه می کنیم.در نهایت می توان نشان داد که مقادیر بدست آمده با نتایج دیگران تطابق داشته و دیود رشد داده شده مشخصه های الکتریکی خوبی را در مقایسه با روشهای دیگر از خود نشان می دهد.
similar resources
ساخت دیود شاتکی پلیمری با ساختار Al-PANI/MWCNT-Au
In this research, Schottky diode with Al-PANI/MWCNT-Au structure was fabricated using spin coating of composite polymer and physical vapor deposition of metals. For this purpose, a thin layer of gold was coated on glass and then composite of polyaniline/multi-walled carbon nanotube was synthesized and spin-coated on gold layer. Finally, a thin layer of aluminum was coated on polymer layer. The ...
full textطراحی و ساخت دیود گان از جنس gaas به روش mbe
دیود گان یکی از مهمترین ادوات نیمه هادی مایکروویو محسوب می شود که برای تولید و تقویت توان در محدوده پایین و متوسط، و فرکانس ighz تا بیش از 100ghz بکار گرفته می شود ویژگی های مثبت باعث استفاده گسترده از آن در نواحی مدارهای مایکروویو برای کاربردهای گوناگون شده است. این دیودها از نیمه هادی معدودی مانند inp, gaas و gan با ساختار باند انرژی ویژه قابل ساختند و روش های مختلف رونشانی برای ساخت آن ها ...
15 صفحه اولطراحی و ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون و بررسی نقش نانولایه گرافین در پاسخ‌دهی نوری آن
در این پژوهش پاسخ‌دهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایه‌ای از گرافین بر روی زیرلایه‌ای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایه‌نشانی‌های کروم- طلا (ضخامت لایه‌های کروم- طلا به ترتیب 50 و150 نانومتر است)، با استفاده از ماسک مخصوصی الگو شده است. منحنی مشخصه...
full textساخت دیود شاتکی پلیمری با ساختار al-pani/mwcnt-au
در این پژوهش دیود شاتکی با ساختار al-pani/mwcnt-au به روش لایه نشانی چرخشی و بخار فیزیکی ساخته شده است. برای این منظور لایه نازکی از طلا بر روی شیشه آزمایشگاهی به روش بخار فیزیکی لایه نشانی شد، سپس پلی آنیلین در محیطی که نانو لوله کربنی پخش شده بود، به روش پلیمریزاسیون رادیکالی پلیمریزه شده و کامپوزیت پلی آنیلین/ نانو لوله کربنی چند دیواره تهیه گردید. فیلم یکنواختی از کامپوزیت حاصل روی سطح طلا ...
full textطراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید (gaas)، به روش mbe
هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید، به روش رونشستی پرتو مولکولی (mbe) می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلول های خورشیدی، پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود pn براثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. دلیل استفاده از دیود pn این است که برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی لازم است الکترون ها و حفره های تولید شده توسط نور، از یکدیگر ج...
15 صفحه اولطراحی و ساخت دستگاه لایه نشانی چرخشی و کاربرد آن در ساخت دیود شاتکی پلیمری
در این پروژه ابتدا به طراحی و ساخت یک نمونه دستگاه لایه نشانی چرخشی جهت تهیه لایه های نازک و یکنواخت پلیمری پرداخته می شود. سپس لایه نازک ترکیب آلی (pani+pvc) به روش لایه نشانی چرخشی با سرعتهای چرخش مختلف و غلظت های مختلف تهیه شد. طیف اپتیکی لایه ها در ناحیه نور مرئی مورد مطالعه قرار گرفت. ضخامت لایه ها طبق پیک طیف جذبی نزدیک به nm 386 تخمین زده شد. پیک های جذب متناسب با سرعت چرخش و غلظت محلول ...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023